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高亮度LED生產(chǎn)環(huán)節(jié)的全方位測試
名稱：萬用表
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簡介：高亮度LED生產(chǎn)環(huán)節(jié)的全方位測試 1 正向電壓測試 要理解新的結(jié)構(gòu)單元材料，如石墨烯、碳納米管、硅納米線或者量子點，在未來的電子器件中是如何發(fā)揮其功效的，就必須采用那些能在很寬范圍上測量電阻、電阻率、遷移率和電導(dǎo)率的計測手段。這常常需要對極...
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高亮度LED生產(chǎn)環(huán)節(jié)的全方位測試
1 正向電壓測試
要理解新的結(jié)構(gòu)單元材料，如石墨烯、碳納米管、硅納米線或者量子點，在未來的電子器件中是如何發(fā)揮其功效的，就必須采用那些能在很寬范圍上測量電阻、電阻率、遷移率和電導(dǎo)率的計測手段。這常常需要對極低的電流和電壓進行測量。對于那些力圖開發(fā)這些下一代材料并使之商業(yè)化的工程師而言，在納米尺度上進行精確的、可重復(fù)的測量的能力顯得極為重要。
2 漏電流測試
當施加一個低于擊穿電壓的反向電壓時，對HBLED兩端的漏電流（IL）的測量一般使用中等的電壓值。在生產(chǎn)測試中，常見的做法是僅確保漏電流不不至于超過一個特定的閾值。
3 提升HBLED的生產(chǎn)測試的吞吐率
過去，HBLED的生產(chǎn)測試的所有環(huán)節(jié)都由單臺PC來控制。換而言之，在測試程序的每個要素中，必須針對每次測試配置信號源和測量裝置，并在執(zhí)行預(yù)期的行動后，將書記返回給PC?？刂芇C根據(jù)通過/不通過的標準進行評估，并決定DUT應(yīng)歸入哪一類。PC發(fā)送指令和結(jié)果返回PC的過程將耗費大量的時間。
最新一代的智能儀器，包括吉時利公司最新的大功率2651A系統(tǒng)信號源/測量儀（SourceMeter），由于可以最大限度減少通信的流量，從而可以大幅度提升測試吞吐率。測試程序的主體嵌入到儀器中的一個Test 處理器（TSP）中，該處理器是一個用于控制測試步驟的測試程序引擎，內(nèi)置通過/不通過標準、計算和數(shù)字I/O的控制。一個TSP可以將用戶定義的測試程序存放到存儲器中，并根據(jù)用戶需要來執(zhí)行該程序，從而減少了測試程序中每個步驟的建立和配置時間。
4 單器件的LED測試系統(tǒng)
測試程序可以被編程設(shè)定為，在一根來自于元器件操控器的數(shù)字信號線作為“測試啟動”（SOT）控制下啟動。當儀器探測到該信號時，測試程序啟動。一旦執(zhí)行完畢，則讓元器件操縱器的一條數(shù)字信號線發(fā)出“測試完畢”的標志。此外，儀器的內(nèi)建智能可以執(zhí)行所有的通過/不通過操縱并通過儀器的數(shù)字I/O端口發(fā)送數(shù)字指令至元器件操縱器，以便讓HBLED能根據(jù)通過/不通過標準來對HBLED進行分類。于是可以通過編程讓兩個動作同時執(zhí)行：數(shù)據(jù)傳送至PC進行統(tǒng)計處理，而同時一個新的DUT運送到測試夾具上。
5 光學(xué)測試
光學(xué)測量中也需要使用正向電流偏置，因為電流與HBLED的發(fā)光量密切相關(guān)。可以用光電二極管或者積分球來捕捉發(fā)射的光子，從而可以測量光功率?？梢詫l(fā)光變換為一個電流，并用電流計或者一個信號源－測量單元的單個通道來測量該電流。
6 反向擊穿電壓測試
對HBLED施加的反向偏置電流可以實現(xiàn)反向擊穿電壓（VR）的測試。該測試電流的設(shè)置應(yīng)當使所測得的電壓值不再隨著電流的輕微增加而顯著上升。在更高的電壓下，反向偏置電流的大幅增加所造成的反向電壓的變化并不顯著。VR的測試方法是，在一段特定時間內(nèi)輸出低反向偏置電流，然后測量HBLED兩端的電壓降。其結(jié)果一般為數(shù)十伏特。
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