吉時利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀
名稱：萬用表
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簡介：吉時利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀是一款能進行器件、材料或過程電氣特性分析的模塊化全集成參數(shù)分析儀。吉時利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀利用9個測量槽和內(nèi)置低噪聲接地單元，您可以根據(jù)測試要求或預算限制進...
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吉時利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀是一款能進行器件、材料或過程電氣特性分析的模塊化全集成參數(shù)分析儀。吉時利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀利用9個測量槽和內(nèi)置低噪聲接地單元，您可以根據(jù)測試要求或預算限制進行精密配置。以下是艾克賽普為您介紹吉時利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀的詳細介紹，如有相關(guān)問題，請聯(lián)系長沙艾克賽普儀器儀表公司rengken.cn，聯(lián)系電話：0731-84284278 84284378。
直流I-V測量是器件和材料測試的基礎(chǔ)。吉時利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀是高精度源電流或電壓以及同步測量電流和電壓的精密儀器。4200-SCS提供的寬范圍I-V測量包括：亞ρA漏電測量、μΩ電阻測量。
電容-電壓（C-V）測試廣泛用于確定各種半導體參數(shù)，例如摻雜濃度和分布、載流子壽命、氧化層厚度、界面態(tài)密度等。吉時利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀提供3種C-V法：多頻（1kHz~10MHz）C-V、超低頻（10mHz~10Hz）C-V和準靜態(tài)C-V。
吉時利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀在分析器件特性時，脈沖I-V測試非常適于防止器件自發(fā)熱或最小化電荷俘獲效應。通過用窄脈沖和/或小占空比脈沖代替直流信號，可以在保持DUT性能的同時提取重要參數(shù)。瞬態(tài)I-V測量能讓科學家或工程師在時域采集超高速電流或電壓波形以便研究動態(tài)特性。
保持MOS結(jié)構(gòu)柵氧化層的質(zhì)量和可靠性是半導體圓廠的一項關(guān)鍵任務(wù)。電容-電壓（C-V）測量通常用于深入研究柵氧化層的質(zhì)量。吉時利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀配備C-V儀器模塊后能簡化MOS電容器測量的檢驗和分析。吉時利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀包括了氧化層厚度、平帶電壓和閾值電壓等常用測量參數(shù)。
應力測量檢測常用于估計半導體器件的工作壽命和磨損性故障。標準WLR測試包括熱載流子注入（HCI）或溝道熱載流子（CHC），負偏壓溫度不穩(wěn)定性（NBTI）以及與時間有關(guān)的介質(zhì)擊穿（TDDB）。這類數(shù)據(jù)用于評價器件設(shè)計和監(jiān)控制造過程。
憑借超快I-V模塊的多脈沖波形發(fā)生和測量功能，吉時利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀專用于應對尖端的、非易失存儲設(shè)備的挑戰(zhàn)。下面示出強大功能能讓您滿足幾乎所有NVM電池的測試需求
納米技術(shù)研究分子級物質(zhì)，一個一個的原子，以建立具有全新特性的結(jié)構(gòu)。現(xiàn)在的研究包括利用碳納米管、半導體納米線、有機分子電子和單電子器件的設(shè)備。由于物理尺寸太小，這些器件不能用標準方法測試。吉時利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀具有廣泛的測試應用庫能讓您快速、自信地完成測試。
直流I-V測量是器件和材料測試的基礎(chǔ)。吉時利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀是高精度源電流或電壓以及同步測量電流和電壓的精密儀器。4200-SCS提供的寬范圍I-V測量包括：亞ρA漏電測量、μΩ電阻測量。
電容-電壓（C-V）測試廣泛用于確定各種半導體參數(shù)，例如摻雜濃度和分布、載流子壽命、氧化層厚度、界面態(tài)密度等。吉時利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀提供3種C-V法：多頻（1kHz~10MHz）C-V、超低頻（10mHz~10Hz）C-V和準靜態(tài)C-V。
吉時利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀在分析器件特性時，脈沖I-V測試非常適于防止器件自發(fā)熱或最小化電荷俘獲效應。通過用窄脈沖和/或小占空比脈沖代替直流信號，可以在保持DUT性能的同時提取重要參數(shù)。瞬態(tài)I-V測量能讓科學家或工程師在時域采集超高速電流或電壓波形以便研究動態(tài)特性。
保持MOS結(jié)構(gòu)柵氧化層的質(zhì)量和可靠性是半導體圓廠的一項關(guān)鍵任務(wù)。電容-電壓（C-V）測量通常用于深入研究柵氧化層的質(zhì)量。吉時利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀配備C-V儀器模塊后能簡化MOS電容器測量的檢驗和分析。吉時利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀包括了氧化層厚度、平帶電壓和閾值電壓等常用測量參數(shù)。
應力測量檢測常用于估計半導體器件的工作壽命和磨損性故障。標準WLR測試包括熱載流子注入（HCI）或溝道熱載流子（CHC），負偏壓溫度不穩(wěn)定性（NBTI）以及與時間有關(guān)的介質(zhì)擊穿（TDDB）。這類數(shù)據(jù)用于評價器件設(shè)計和監(jiān)控制造過程。
憑借超快I-V模塊的多脈沖波形發(fā)生和測量功能，吉時利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀專用于應對尖端的、非易失存儲設(shè)備的挑戰(zhàn)。下面示出強大功能能讓您滿足幾乎所有NVM電池的測試需求
納米技術(shù)研究分子級物質(zhì)，一個一個的原子，以建立具有全新特性的結(jié)構(gòu)。現(xiàn)在的研究包括利用碳納米管、半導體納米線、有機分子電子和單電子器件的設(shè)備。由于物理尺寸太小，這些器件不能用標準方法測試。吉時利 KEITHLEY 4200-SCS 參數(shù)分析儀具有廣泛的測試應用庫能讓您快速、自信地完成測試。
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