牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Polaris專為刻蝕堅硬材料(如GaN,藍(lán)寶石和SiC)所需要使用的腐蝕性化學(xué)氣體而設(shè)計,可在最大直徑200mm的晶圓上實(shí)現(xiàn)快速均勻刻蝕。
-
高效的刻蝕速率
-
低購置成本
-
專為腐蝕性的化學(xué)成分而設(shè)計
-
出色的刻蝕均勻性
-
適用于藍(lán)寶石的靜電壓盤技術(shù)
-
藍(lán)寶石和硅上的GaN
-
高導(dǎo)通抽氣系統(tǒng)
-
可與其它PlasmaPro系統(tǒng)集成
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Polaris特征
PlasmaPro 100 Polaris單晶圓刻蝕系統(tǒng)為得到更為精湛的刻蝕效果提供了智能解決方案,使您在行業(yè)中能保持競爭優(yōu)勢。
主動冷卻電極 - 在刻蝕過程中保持樣品溫度
高功率ICP源 - 產(chǎn)生高密度等離子體
可靠的硬件且易于維護(hù) - 可保持長時間正常運(yùn)轉(zhuǎn)
磁場墊環(huán) - 增強(qiáng)離子的控制和均勻性
靜電壓盤技術(shù) - 適用于藍(lán)寶石,以及藍(lán)寶石和硅基的GaN
加熱的腔室內(nèi)襯 - 優(yōu)化以減少腔壁沉積
先進(jìn)的自動匹配單元(AMU) - 提供快速,高效和準(zhǔn)確的匹配,確保工藝的高度精準(zhǔn)重復(fù)性
牛津儀器 電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Polaris應(yīng)用
-
RF器件SiC通孔刻蝕
-
功率半導(dǎo)體器件SiC形貌刻蝕
-
HBLED GaN刻蝕
-
RF device GaN etch
-
Patterned Sapphire Substrate (PSS) Etch
-
SiO2 and quartz etch
ICP刻蝕是一種被廣泛使用的技術(shù),可提供高速率、高選擇比以及低損傷的刻蝕。等離子體能夠在低氣壓下保持穩(wěn)定,因此能夠更好地控制刻蝕形貌。 Cobra® ICP刻蝕源在低氣壓下仍可產(chǎn)生高密度的反應(yīng)粒子。襯底上的直流偏壓由一個射頻發(fā)生器獨(dú)立控制, 因此可根據(jù)工藝要求控制離子能量。
電感耦合等離子體刻蝕要點(diǎn)
-
高刻蝕速率
-
出色的均勻性
-
低氣壓下高密度的反應(yīng)粒子
-
精準(zhǔn)的襯底直流偏壓控制
-
精準(zhǔn)的離子能量控制
-
更寬的電極溫度范圍 -150ºC至+400ºC
電感耦合等離子體刻蝕特點(diǎn)及優(yōu)勢
-
高刻蝕速率可由高離子密度(> 1011 /cm3)和高自由基密度來實(shí)現(xiàn)
-
能夠利用低離子能量實(shí)現(xiàn)對選擇比和損傷的控制
-
獨(dú)立的射頻和電感耦合等離子體發(fā)生器分別提供了對離子能量和離子密度的獨(dú)立控制, 從而實(shí)現(xiàn)了高度的工藝靈活性
-
在低氣壓工藝下同時仍具有高離子密度,這樣可以改善對外形的控制
-
化學(xué)和離子誘導(dǎo)刻蝕
-
也可以在RIE模式下運(yùn)行,以滿足某些慢速刻蝕的需要
-
可用于ICP-CVD模式的沉積
-
高導(dǎo)通的泵送端口可提供高氣體流量,以實(shí)現(xiàn)快速的刻蝕速率
-
靜電屏蔽消除了電容耦合,減少了對器件的電學(xué)損傷,以及在腔室內(nèi)減少了雜質(zhì)顆粒的形成
-
標(biāo)準(zhǔn)化的晶圓壓盤與氦冷卻,提供了出色的溫度控制,同時可以選擇更寬的溫度范圍