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多角度激光橢偏儀 SE 400adv PV
名稱：涂鍍層測厚儀
品牌：
型號：
簡介：SE 400adv PV 隨機攜帶適用于絨面多晶硅和單晶硅的樣品臺，特別適用于晶硅太陽能電池絨面上的減反膜測量，激光橢偏儀SE 400adv PV 多角度激光橢偏儀SE 400adv-PV能夠測量薄膜厚度及其光學(xué)常數(shù)，使用632.8nm波長...
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- 產(chǎn)品介紹
SE 400adv PV 隨機攜帶適用于絨面多晶硅和單晶硅的樣品臺，特別適用于晶硅太陽能電池絨面上的減反膜測量，激光橢偏儀SE 400adv PV
多角度激光橢偏儀SE 400adv-PV能夠測量薄膜厚度及其光學(xué)常數(shù)，使用632.8nm波長氦氖激光器，具有極高的精確度和準確度。SE 400adv-PV專門針對晶硅太陽能電池絨面上的減反膜測量，具有業(yè)內(nèi)最高的精度和穩(wěn)定性。SE 400adv-PV的功能基于橢圓偏振光原理，一種使用激光偏振光的非接觸光學(xué)反射測量方式。其主要特點如下
SE 400adv不僅能測量單晶硅樣片，還能測量多晶硅樣片；（我們可提供真實樣片測試報告供參考，用戶也可提供樣片、我們幫助測量）
SE 400adv能測量實際工藝線生產(chǎn)的產(chǎn)品、即粗糙表面的“絨片”（如Textured Silicon），這是業(yè)界唯一的；對拋光片的測量精度、準確度也是業(yè)界第一；
（我們可提供真實樣片測試報告供參考，用戶也可提供樣片、我們幫助測量）
SE 400adv 配有高靈敏度、低噪聲探測器，特別適用于對太陽能電池粗糙表面減反膜造成的低反射光強進行測量；
SE 400adv 可對太陽能電池粗糙表面減反膜造成的退偏因數(shù)（偏振因數(shù)）進行測量和評估，提高測量精度；
SE 400adv 配置有高穩(wěn)定度補償器，保證了Psi角度的測量范圍為0-90°、Delta角度的測量范圍為0-360°；此外補償器可減小環(huán)境溫度變化帶來的影響，即使Delta為0度仍可提供最小的漂移值和最小的測量誤差；
SE 400adv 配置有高精度的自動光學(xué)對準顯微鏡（ACT），使載物臺的高度、傾斜度調(diào)整精度、靈敏度達到最高；配置有計算機控制分析器等精密光學(xué)組件，保證測量的精度；
SE 400adv 可進行40°－90°范圍內(nèi)的多角度測量；
SENTECH 與其中國總代理北京東方中科集成科技有限公司，在國內(nèi)設(shè)有技術(shù)服務(wù)中心，工程師都通過在德國原廠培訓(xùn)、具備很強的技術(shù)能力和豐富的應(yīng)用經(jīng)驗，能為用戶提供完善的售前技術(shù)支持、設(shè)備安裝調(diào)試、現(xiàn)場使用與維護培訓(xùn)、售后保修維修、應(yīng)用答疑等服務(wù)；
提供中文操作手冊；
規(guī)格:
• 激光波長632.8 nm
• 150 mm (z-tilt) 載物臺
• 入射角度可調(diào)，步進5º
• 自動對準鏡/顯微鏡，用于樣品校準
SE 400advanced軟件特征:
• 預(yù)先定義應(yīng)用
• 多角度測量
• 廣泛的材料數(shù)據(jù)庫
• 擬合狀況的圖形反饋
• 支持多種語言
基本技術(shù)指標：
ψ, Δ精度， 90° 入射角:
δ(ψ)=0.002°, δ(Δ)=0.002°
長時穩(wěn)定性2):
δ(ψ)=±0.1°, δ(Δ)=±0.1°
膜厚精度1)
0.1Å,對100nm單晶硅片上的SiO2薄膜標準樣片；
折射率精度1)
5×10-4對100nm單晶硅片上的SiO2薄膜標準樣片；
1) 精度定義為30次測量的標準差
2) 長時穩(wěn)定性定義為24小時內(nèi)90°位置測量的偏差
選項
•手動（自動）x-y方向移動載物臺，行程150 mm
•地貌圖 選項 (x-y方向, 最大行程200 mm, 帶有真空吸附接口)
•攝象頭選項，用于取代目鏡進行樣品對準
•反射式膜厚儀FTPadvanced，光斑直徑80微米（可適用于光滑透明襯底上 •模擬軟件
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